На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MIO1200-25E10 | MIO1200-33E10 | MIO1200-33E11 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | E10 | E10 | E11 |
Производитель | Производитель | IXYS | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1.2 кА | ||
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <2.5 кВ | <3.3 кВ | <3.3 кВ |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | ||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 1200A | <3.1 ВVge, Ic = 15V, 1200A | <3.1 ВVge, Ic = 15V, 1200A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <120 мА | ||
Входная емкость IGBT | Cies | 186 нФVce = 25V | 187 нФVce = 25V | (не задано) |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | ||