На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MII300-12A4 | MII300-12E4 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Y3-DCB | Y3-Li |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <330 А | <280 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ | |
Мощность | P | <1.38 кВт | <1.1 кВт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 200A | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 200A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <13 мА | <3.3 мА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge | |
Входная емкость IGBT | Cies | 13 нФVce = 25V | 11 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | |