MIAA10WD600TMH

MIAA10WD600, MIAA10WD600TMH

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMIAA10WD600TMH
Корпус микросхемы
Корпус
MiniPack2
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<18 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<70 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Single Phase Bridge Rectifier
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.6 ВVge, Ic = 15V, 10A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<600 мкА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Входная емкость IGBT
Cies
450 пФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
Да