На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MG800J2YS50A | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Модуль |
Производитель | Производитель | Powerex Inc |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В |
Мощность | P | <2.9 кВт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <3 ВVge, Ic = 15V, 800A |
Серия IGBT | Серия | IGBTMOD™ |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge |
Входная емкость IGBT | Cies | 93 нФVce = 10V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет |