GB50XF120K

GB50XF120, GB50XF120K

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрGB50XF120K
Корпус микросхемы
Корпус
ECONO2
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<75 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<329 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.15 ВVge, Ic = 15V, 75A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Входная емкость IGBT
Cies
4.945 нФVce = 30V
Наличие NTC термистора
NTC
Нет