GB15RF120K

GB15RF120, GB15RF120K

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрGB15RF120K
Корпус микросхемы
Корпус
Econo 2 PIM
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<25 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<125 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Three Phase Bridge Rectifier
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<4 ВVge, Ic = 15V, 25A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Входная емкость IGBT
Cies
1.285 нФVce = 30V
Наличие NTC термистора
NTC
Да