На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | GA200HS60S | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | INT-A-Pak |
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <470 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В |
Мощность | P | <830 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <1.25 ВVge, Ic = 15V, 200A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge |
Входная емкость IGBT | Cies | 32.5 нФVce = 30V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет |