GA100TS120

GA100TS120, GA100TS120U

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрGA100TS120U
Корпус микросхемы
Корпус
INT-A-PAK (3 + 4)
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<520 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.9 ВVge, Ic = 15V, 100A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Half Bridge
Входная емкость IGBT
Cies
18.672 нФVce = 30V
Наличие NTC термистора
NTC
Нет