На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FP7G50US60 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EPM7 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В |
Мощность | P | <250 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 50A |
Серия IGBT | Серия | Power-SPM™ |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <250 мкА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge |
Входная емкость IGBT | Cies | 2.92 нФVce = 30V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет |