На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FII30-06D | FII30-12E | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | ISOPLUS i4-PAC™ | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <30 А | <33 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | <1.2 кВ |
Мощность | P | <100 Вт | <150 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 20A | <2.9 ВVge, Ic = 15V, 20A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <600 мкА | <200 мкА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge | |
Входная емкость IGBT | Cies | 1.1 нФVce = 25V | 1.2 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | |