На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | CPV363M4F | CPV363M4K | CPV363M4U | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IMS-2 | ||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <16 А | <11 А | <13 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | ||
Мощность | P | <36 Вт | ||
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | ||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <1.63 ВVge, Ic = 15V, 16A | <2 ВVge, Ic = 15V, 11A | <2 ВVge, Ic = 15V, 13A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <250 мкА | ||
Тип сборки IGBT | Тип | Three Phase Inverter | ||
Входная емкость IGBT | Cies | 1.1 нФVce = 30V | 740 пФVce = 30V | 1.1 нФVce = 30V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | ||