CM800D

CM800D, CM800DU-12H

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCM800DU-12H
Корпус микросхемы
Корпус
Модуль
Производитель
Производитель
Powerex Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<800 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<1.5 кВт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.15 ВVge, Ic = 15V, 800A
Серия IGBT
Серия
IGBTMOD™
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<2 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Half Bridge
Входная емкость IGBT
Cies
70.4 нФVce = 10V
Наличие NTC термистора
NTC
Нет