CM200DU-12H

CM200D, CM200DU-12F, CM200DU-12H, CM200DU-12NFH, CM200DU-24F, CM200DU-24H, CM200DU-24NFH, CM200DU-34KA, CM200DX-24A, CM200DY-12H, CM200DY-12NF, CM200DY-24A, CM200DY-24H, CM200DY-24NF, CM200DY-28H, CM200DY-34A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCM200DU-12FCM200DU-12HCM200DU-12NFHCM200DU-24FCM200DU-24HCM200DU-24NFHCM200DU-34KACM200DX-24ACM200DY-12HCM200DY-12NFCM200DY-24ACM200DY-24HCM200DY-24NFCM200DY-28HCM200DY-34A
Корпус микросхемы
Корпус
Модуль
Производитель
Производитель
Powerex Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.7 кВ<1.2 кВ<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.4 кВ<1.7 кВ
Мощность
P
<590 Вт<650 Вт<590 Вт<890 Вт<1.13 кВт<830 Вт<1.1 кВт<1.25 кВт<780 Вт<650 Вт<1.34 кВт<1.5 кВт<1.13 кВт<1.5 кВт<1.98 кВт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.2 ВVge, Ic = 15V, 200A<3 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 200A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 200A<6.5 ВVge, Ic = 15V, 200A<4 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.2 ВVge, Ic = 15V, 200A<3 ВVge, Ic = 15V, 200A<3.4 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 200A<4.2 ВVge, Ic = 15V, 200A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 200A
Серия IGBT
Серия
IGBTMOD™
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Half Bridge
Входная емкость IGBT
Cies
54 нФVce = 10V17.6 нФVce = 10V55 нФVce = 10V78 нФVce = 10V30 нФVce = 10V32 нФVce = 10V29 нФVce = 10V35 нФVce = 10V20 нФVce = 10V30 нФVce = 10V35 нФVce = 10V40 нФVce = 10V47 нФVce = 10V40 нФVce = 10V49.4 нФVce = 10V
Наличие NTC термистора
NTC
НетНетНетНетНетНетНетДаНетНетНетНетНетНетНет