CM150D

CM150D, CM150DU-12F, CM150DU-12H, CM150DU-24F, CM150DU-24H, CM150DU-24NFH, CM150DU-34KA, CM150DUS-12F, CM150DX-24A, CM150DY-12H, CM150DY-12NF, CM150DY-24A, CM150DY-24H, CM150DY-24NF, CM150DY-28H, CM150DY-34A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCM150DU-12FCM150DU-12HCM150DU-24FCM150DU-24HCM150DU-24NFHCM150DU-34KACM150DUS-12FCM150DX-24ACM150DY-12HCM150DY-12NFCM150DY-24ACM150DY-24HCM150DY-24NFCM150DY-28HCM150DY-34A
Корпус микросхемы
Корпус
Модуль
Производитель
Производитель
Powerex Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<150 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.7 кВ<600 В<1.2 кВ<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.4 кВ<1.7 кВ
Мощность
P
<520 Вт<600 Вт<600 Вт<890 Вт<650 Вт<1.1 кВт<520 Вт<960 Вт<600 Вт<590 Вт<960 Вт<1.1 кВт<780 Вт<1.1 кВт<1.6 кВт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.2 ВVge, Ic = 15V, 150A<3 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 150A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 150A<6.5 ВVge, Ic = 15V, 150A<4 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.2 ВVge, Ic = 15V, 150A<3 ВVge, Ic = 15V, 150A<3.4 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 150A<4.2 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 150A
Серия IGBT
Серия
IGBTMOD™
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Half Bridge
Входная емкость IGBT
Cies
41 нФVce = 10V13.2 нФVce = 10V59 нФVce = 10V22 нФVce = 10V24 нФVce = 10V21 нФVce = 10V41 нФVce = 10V23 нФVce = 10V15 нФVce = 10V23 нФVce = 10V23 нФVce = 10V30 нФVce = 10V35 нФVce = 10V30 нФVce = 10V37 нФVce = 10V
Наличие NTC термистора
NTC
НетНетНетНетНетНетНетДаНетНетНетНетНетНетНет