На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTGT50A120D1G | APTGT50A120T1G | APTGT50A120TG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Модуль | SP1 Module | SP4 Module |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <75 А | ||
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ | ||
Мощность | P | <270 Вт | <277 Вт | <277 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | ||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 50A | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <5 мА | <250 мкА | <250 мкА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge | ||
Входная емкость IGBT | Cies | 3.6 нФVce = 25V | ||
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | Да | Да |