На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTGT300A170D3G | APTGT300A170G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Модуль | SP6 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <530 А | <400 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.7 кВ | |
Мощность | P | <1.47 кВт | <1.66 кВт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 300A | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <8 мА | <750 мкА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge | |
Входная емкость IGBT | Cies | 26 нФVce = 25V | 26.5 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | |