APTGT25A120

APTGT25A120, APTGT25A120D1G, APTGT25A120T1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTGT25A120D1GAPTGT25A120T1G
Корпус микросхемы
Корпус
МодульSP1 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<40 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<140 Вт<156 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 25A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<5 мА<250 мкА
Тип сборки IGBT
Тип
Half Bridge
Входная емкость IGBT
Cies
1.8 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
НетДа