На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTGT20H60T1G | APTGT20H60T3G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SP1 Module | SP3 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <32 А | |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |
Мощность | P | <62 Вт | |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <1.9 ВVge, Ic = 15V, 20A | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <250 мкА | |
Тип сборки IGBT | Тип | Full Bridge Inverter | |
Входная емкость IGBT | Cies | 1.1 нФVce = 25V | |
Наличие NTC термистора | NTC | Да | |