На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTGT200A170D3G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Модуль |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <400 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.7 кВ |
Мощность | P | <1.25 кВт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 200A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <5 мА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge |
Входная емкость IGBT | Cies | 17 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет |