На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTGT200A120D3G | APTGT200A120G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Модуль | SP6 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <300 А | <280 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ | |
Мощность | P | <1.04 кВт | <890 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 200A | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <6 мА | <350 мкА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge | |
Входная емкость IGBT | Cies | 14 нФVce = 25V | |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | |