На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTGT100A170D1G | APTGT100A170TG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Модуль | SP4 Module |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 А | <150 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.7 кВ | |
Мощность | P | <695 Вт | <560 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 100A | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <3 мА | <250 мкА |
Тип сборки IGBT | Тип | Half Bridge | |
Входная емкость IGBT | Cies | 8.5 нФVce = 25V | 9 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | Да |