STGW45NC60VD

STGW45NC60, STGW45NC60VD, STGW45NC60WD

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTGW45NC60VDSTGW45NC60WD
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<90 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<270 Вт<285 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch(не задано)
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 30A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 30A
Серия IGBT
Серия
PowerMESH™