На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STGW35NB60S | STGW35NB60SD | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247-3 | |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <70 А | |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |
Мощность | P | <200 Вт | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <1.7 ВVge, Ic = 15V, 20A | |
Серия IGBT | Серия | PowerMESH™ | |