STGP3NB60

STGP3NB60, STGP3NB60F, STGP3NB60FD, STGP3NB60HD, STGP3NB60K, STGP3NB60KD

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTGP3NB60FSTGP3NB60FDSTGP3NB60HDSTGP3NB60KSTGP3NB60KD
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<6 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<68 Вт<68 Вт<70 Вт<68 Вт<68 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 3A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 3A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 3A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 3A<2.8 ВVge, Ic = 15V, 3A
Серия IGBT
Серия
PowerMESH™