STGP19NC60

STGP19NC60, STGP19NC60H, STGP19NC60HD, STGP19NC60KD, STGP19NC60S, STGP19NC60SD, STGP19NC60W, STGP19NC60WD

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTGP19NC60HSTGP19NC60HDSTGP19NC60KDSTGP19NC60SSTGP19NC60SDSTGP19NC60WSTGP19NC60WD
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220TO-220TO-220TO-220TO-220TO-220TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<40 А<40 А<35 А<50 А<50 А<40 А<40 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<130 Вт<130 Вт<125 Вт<125 Вт<125 Вт<130 Вт<125 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
(не задано)(не задано)(не задано)N-chN-ch(не задано)N-ch
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.75 ВVge, Ic = 15V, 12A<1.9 ВVge, Ic = 15V, 12A<1.9 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A
Серия IGBT
Серия
PowerMESH™