STGP10NC60H

STGP10NC60, STGP10NC60H, STGP10NC60HD, STGP10NC60K, STGP10NC60KD, STGP10NC60S

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTGP10NC60HSTGP10NC60HDSTGP10NC60KSTGP10NC60KDSTGP10NC60S
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<20 А<20 А<20 А<20 А<21 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<60 Вт<65 Вт<60 Вт<60 Вт<62.5 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-chN-chN-chN-ch(не задано)
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<1.65 ВVge, Ic = 15V, 5A
Серия IGBT
Серия
PowerMESH™