STGF19NC60HD

STGF19NC60, STGF19NC60HD, STGF19NC60KD, STGF19NC60WD

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTGF19NC60HDSTGF19NC60KDSTGF19NC60WD
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<16 А<16 А<14 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<32 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.75 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A
Серия IGBT
Серия
PowerMESH™