STGF10NC60HD

STGF10NC60, STGF10NC60HD, STGF10NC60KD, STGF10NC60SD

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTGF10NC60HDSTGF10NC60KDSTGF10NC60SD
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220FP
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<9 А<9 А<10 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<24 Вт<25 Вт<25 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-chN-ch(не задано)
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A<1.65 ВVge, Ic = 15V, 5A
Серия IGBT
Серия
PowerMESH™