На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STGD3NB60FT4 | STGD3NB60HDT4 | STGD3NB60SD-1 | STGD3NB60SDT4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <6 А | <10 А | <6 А | <6 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |||
Мощность | P | <60 Вт | <50 Вт | <48 Вт | <48 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 3A | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 3A | <1.5 ВVge, Ic = 15V, 3A | <1.5 ВVge, Ic = 15V, 3A |
Серия IGBT | Серия | PowerMESH™ | |||