На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STGD10NC60HDT4 | STGD10NC60HT4 | STGD10NC60KDT4 | STGD10NC60KT4 | STGD10NC60SDT4 | STGD10NC60ST4 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <20 А | <20 А | <20 А | <20 А | <18 А | <18 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |||||
Мощность | P | <62 Вт | <60 Вт | <60 Вт | <60 Вт | <60 Вт | <60 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | (не задано) | N-ch | N-ch | N-ch | (не задано) | (не задано) |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |||||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 5A | <1.65 ВVge, Ic = 15V, 5A | <1.65 ВVge, Ic = 15V, 5A |
Серия IGBT | Серия | PowerMESH™ | PowerMESH™ | PowerMESH™ | PowerMESH™ | (не задано) | (не задано) |