На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STGB6NC60HD-1 | STGB6NC60HDT4 | STGB6NC60HT4 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <15 А | ||
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | ||
Мощность | P | <56 Вт | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | ||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 3A | ||
Серия IGBT | Серия | PowerMESH™ | ||