На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STGB3NB60FDT4 | STGB3NB60KDT4 | STGB3NB60SDT4 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <6 А | <10 А | <6 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | ||
Мощность | P | <68 Вт | <50 Вт | <70 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | ||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.4 ВVge, Ic = 15V, 3A | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 3A | <1.5 ВVge, Ic = 15V, 3A |
Серия IGBT | Серия | PowerMESH™ | ||