На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STGB30NC60KT4 | STGB30NC60WT4 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (3 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <60 А | |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |
Мощность | P | <185 Вт | <200 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 20A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 20A |
Серия IGBT | Серия | PowerMESH™ | |