На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STGB19NC60HDT4 | STGB19NC60KDT4 | STGB19NC60KT4 | STGB19NC60WT4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (3 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (3 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <40 А | <35 А | <35 А | <40 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |||
Мощность | P | <130 Вт | <125 Вт | <125 Вт | <130 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |||
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A | <2.75 ВVge, Ic = 15V, 12A | <2.75 ВVge, Ic = 15V, 12A | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A |
Серия IGBT | Серия | PowerMESH™ | |||