На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NGD8201NT4G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <20 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <440 В |
Мощность | P | <125 Вт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Тип входа IGBT | Вход | Logic |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <1.9 ВVge, Ic = 4.5V, 20A |