NGD15N41CLT4G

NGD15N41CLT4, NGD15N41CLT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNGD15N41CLT4G
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<15 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<440 В
Мощность
P
<107 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Тип входа IGBT
Вход
Logic
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 4.5V, 10A