На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXGT32N170A | IXGT32N170 T&R | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-268 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <32 А | <75 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.7 кВ | |
Мощность | P | <350 Вт | |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <5 ВVge, Ic = 15V, 21A | <3.3 ВVge, Ic = 15V, 32A |