IXGR48N60B3D1

IXGR48N60B3, IXGR48N60B3D1, IXGR48N60B3D4A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXGR48N60B3D1IXGR48N60B3D4A
Корпус микросхемы
Корпус
ISOPLUS247™
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<60 А(не задано)
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<150 Вт(не задано)
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 40A(не задано)
Серия IGBT
Серия
GenX3™(не задано)