На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXGN200N60A | IXGN200N60B | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227B miniBLOC | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 А | |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | |
Мощность | P | <600 Вт | |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 100A | <2.1 ВVge, Ic = 15V, 120A |
Серия IGBT | Серия | HiPerFAST™ | |