IXGK35N120

IXGK35N120, IXGK35N120B

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXGK35N120B
Корпус микросхемы
Корпус
TO-264AA
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<70 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<350 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.3 ВVge, Ic = 15V, 35A
Серия IGBT
Серия
HiPerFAST™