IXGH30N60B

IXGH30N60, IXGH30N60A, IXGH30N60B

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXGH30N60AIXGH30N60B
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<50 А<60 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<200 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3 ВVge, Ic = 15V, 30A<1.8 ВVge, Ic = 15V, 30A
Серия IGBT
Серия
(не задано)HiPerFAST™