IXGH15N120

IXGH15N120, IXGH15N120B, IXGH15N120C

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXGH15N120BIXGH15N120C
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<30 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Мощность
P
<180 Вт<150 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<3.2 ВVge, Ic = 15V, 15A<3.8 ВVge, Ic = 15V, 15A
Серия IGBT
Серия
HiPerFAST™(не задано)