IXGH120N30B3

IXGH120N30B3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXGH120N30B3
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<75 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<300 В
Мощность
P
<540 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<1.7 ВVge, Ic = 15V, 120A
Серия IGBT
Серия
GenX3™