На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXGB200N60B3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | ISOPLUS264™ |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <75 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В |
Мощность | P | <1.25 кВт |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <1.5 ВVge, Ic = 15V, 100A |
Серия IGBT | Серия | GenX3™ |