IXGA7N60C

IXGA7N60, IXGA7N60B, IXGA7N60C

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXGA7N60BIXGA7N60C
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<14 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<54 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2 ВVge, Ic = 15V, 7A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 7A
Серия IGBT
Серия
HiPerFAST™HiPerFAST™, Lightspeed 2™