На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXBH2N250 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <2.5 кВ |
Мощность | P | <32 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <3.5 ВVge, Ic = 15V, 2A |
Серия IGBT | Серия | BIMOSFET™ |