IRGS8B60

IRGS8B60, IRGS8B60KPBF, IRGS8B60KTRLPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRGS8B60KPBFIRGS8B60KTRLPBF
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<28 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<167 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
(не задано)N-ch
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.2 ВVge, Ic = 15V, 8A