IRG4IBC30FDPBF

IRG4IBC30, IRG4IBC30FD, IRG4IBC30FDPBF, IRG4IBC30KD, IRG4IBC30KDPBF, IRG4IBC30S, IRG4IBC30SPBF, IRG4IBC30UD, IRG4IBC30UDPBF, IRG4IBC30W, IRG4IBC30WPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRG4IBC30FDIRG4IBC30FDPBFIRG4IBC30KDIRG4IBC30KDPBFIRG4IBC30SIRG4IBC30SPBFIRG4IBC30UDIRG4IBC30UDPBFIRG4IBC30WIRG4IBC30WPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220FTO-220FTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<20.3 А<20.3 А<17 А<17 А<23.5 А<23.5 А<17 А<17 А<17 А<17 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<45 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<1.8 ВVge, Ic = 15V, 17A<1.8 ВVge, Ic = 15V, 17A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 16A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 16A<1.6 ВVge, Ic = 15V, 18A<1.6 ВVge, Ic = 15V, 18A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 12A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 12A