IRG4BC15UD

IRG4BC15, IRG4BC15MDPBF, IRG4BC15UD, IRG4BC15UD-L, IRG4BC15UD-LPBF, IRG4BC15UDPBF, IRG4BC15UD-S, IRG4BC15UD-SPBF, IRG4BC15UD-STRL, IRG4BC15UDSTRLP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRG4BC15MDPBFIRG4BC15UDIRG4BC15UD-LIRG4BC15UD-LPBFIRG4BC15UDPBFIRG4BC15UD-SIRG4BC15UD-SPBFIRG4BC15UD-STRLIRG4BC15UDSTRLP
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<14 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<49 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
(не задано)(не задано)(не задано)N-chN-ch(не задано)N-ch(не задано)(не задано)
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.3 ВVge, Ic = 15V, 8.6A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 7.8A