IRG4BAC50W-S

IRG4BAC50, IRG4BAC50W-S, IRG4BAC50W-SPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRG4BAC50W-SIRG4BAC50W-SPBF
Корпус микросхемы
Корпус
Super-220™-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<55 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В
Мощность
P
<200 Вт
Тип канала полевого транзистора
Канал
(не задано)N-ch
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.3 ВVge, Ic = 15V, 27A